高通快充放大招，QC3.0采用新的算法电压智能协商（INOV）算法 - 芯片技术资讯

　　高通子公司Qualcomm Technologies Inc.今日宣布，已推出第三代快速充电技术Qualcomm® Quick Charge™ 3.0。作为快速充电技术的新产品产品，Quick Charge 3.0在同类产品中首次采用电压智能协商（INOV）算法。

INOV是由Qualcomm Technologies开发的全新算法，旨在帮助便携设备具备选定所需功率电平的能力，实现最佳功率传输，Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部常规手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的设备通常需要大致一个半小时的时间。

借助INOV算法，Quick Charge 3.0可实现比2.0最高达38%的效率提升，同时还优化保护电池寿命周期。此外，当与Qualcomm Technologies最新的并联充电配置一起使用时，Quick Charge 3.0还可以实现减少高达45%功率损耗，实现了比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。

Quick Charge 3.0现已正式推出，并将在部分Qualcomm® 骁龙™处理器中以选配形式提供，包括骁龙820、620、618、617和430处理器；搭载这一技术的移动终端预计将于明年上市。相比于2.0提供的5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择，从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。

Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及连接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，此外还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。